金属功函数（work函数）

1. 铝的功函数
2. work函数
3. 金属的逸出功计算公式
4. p型半导体重掺功函数会高于金属吗
5. 什么是电离能，什么是电子亲和能？两者有什么关系
6. 半导体阻挡层名词解释

铝的功函数

常见金属的功函数集中，以备查询 Metal Work Function （eV） 银 Ag (silver) 4.26 铝 Al (aluminum) 4.28

work函数

功函数(work function)又称功函、逸出功，在固体物理中被定义成：把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。

一般情况下功函数指的是金属的功函数，非金属固体很少会用到功函数的定义，而是用接触势来表达

金属的逸出功计算公式

回答如下：逸出功是指从一个固体表面逸出一个电子所需的最小能量。它可以通过以下公式计算：

逸出功 = - hν + Ekin + φ

其中，h是普朗克常数，ν是光子的频率，Ekin是逸出电子的动能，φ是工作函数，表示从该固体表面逸出电子所需的最小能量。

p型半导体重掺功函数会高于金属吗

是的，P型半导体重掺杂后的功函数通常会高于金属。在半导体器件中，功函数是指表征表面势垒高低的物理量，即在材料表面形成的势垒高度。而重掺杂P型半导体会引入更多的空穴浓度，因此会产生更高的表面势垒，从而导致较高的功函数。

与之相比，金属的功函数相对较低，因为金属一般具有很高的电子密度，其导带中填充有大量的电子，所以其势垒相对较低。

根据经典物理理论，重掺p型半导体的功函数会高于金属。这是因为重掺p型半导体中的空穴浓度较高，导致电子云被推向表面，使得表面电子云的能量升高，从而提高了功函数。

另外，p型半导体与金属的化学性质不同，也会导致功函数的差异。总之，一般情况下，重掺p型半导体的功函数会高于金属。

什么是电离能，什么是电子亲和能？两者有什么关系

基态的气态原子或气态离子失去一个电子所需要的最小能量称为元素的电离能。

电离能可以定量的比较气态原子失去电子的难易，电离能越大，原子越难失去电子，其还原性越弱，非金属性越强；反之金属性越强。所以它可以比较元素的金属性强弱。影响电离能大小的因素是：有效核电荷、原子半径、和原子的电子构型。

电子亲和能是指真空的自由电子能级与导带底能级之间的能量差，也就是把导带底的电子拿出到真空去而变成自由电子所需要的能量。

元素的第一电子亲和能越大，表示元素由气态原子得到电子生成负离子的倾向越大，该金属非金属性越强。影响电子亲和能大小的因素与电离能相同，即原子半径、有效核电荷和原子的电子构型。

它的变化趋势与电离能相似，具有大的电离能的元素一般电子亲和能也很大。电子亲和能有如下特点：

（1）大多数元素原子的第一电子亲和能是负值，少数是正值。

这一点与电离能不同。

（2）第一亲和能值较小，与电离能相比，元素的第一电子亲和能的绝对值要小得多。

（3）第二电子亲和能是正值。

这是因为使一个负一价的离子再结合一个电子必须克服负离子与电子间的静电排斥力，克服排斥力需要吸收能量。应用：电离能的大小可以用来衡量原子失去电子的难易，也可以用来判断原子失去电子的数目和形成的阳离子所带的电荷。

半导体阻挡层名词解释

就拿金属与N半导体接触来说吧，如果他们接触形成阻挡层的话，半导体一边的能带是向上弯曲的，这时候就形成了势垒，电子要穿过这个势垒，就必须具有一定的能量，如果我们在金属加上正电压，就会消弱势垒区中的电场，势垒高度降低，部分电子可以越过这个势垒，就形成了正向电流，而如果我们加反向电压，外加电场与势垒区电场方向相同，反而增加了势垒高度，这时候电子更难在越过这个势垒，反向的电流就很小。就像上述这种具有整流效应作用结就是阻挡层。

对于反阻挡层就跟阻挡层作用相反，在半导体表面具有很高的电子浓度，没有整流效应，一般把这种形成反阻挡层的接触，称为欧姆接触，他形成的电阻很小，比他的材料电阻还要小，电流电压曲线呈直线对称分布。

到此，以上就是小编对于金属功函数表的问题就介绍到这了，希望介绍的6点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。